ＴＡ-Ｎ７Ｂ

ＳＯＮＹ　ＴＡ-Ｎ７Ｂ
ＳＴＥＲＥＯ　ＰＯＷＥＲ　ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ　￥１６０，０００

１９７６年にソニーが発売したパワーアンプ。プリアンプＴＡ-Ｅ７Ｂとのペアを想定されたパワー
アンプで，Ｖ-ＦＥＴの搭載，４つのトランスを持つ強力電源部等しっかりと物量が投入された
力の入った１台でした。

全体の回路構成としては，電圧増幅段，電力増幅段とも，増幅回路の時定数を形成するコン
デンサーを取り除いたＤＣアンプ構成となっていました。入力端子と増幅段の間もコンデンサー
を用いないダイレクトカップリングで，入力から出力まで完全ＤＣパワーアンプとなっていました。

電圧増幅段は，初段にデュアルＦＥＴを用いたカスコード接続の差動アンプを配し，カレントミ
ラー負荷によって出力を取り出すようになっていました。このデュアルＦＥＴは，新開発された
もので，同一のシリコンスライス上のペレットのうち隣り合ったペレットをワンパッケージした差
動アンプ用のペアーＦＥＴで，熱平衡が良く，電気的特性にも優れたものでした。また，デュア
ルＦＥＴの共通ソース抵抗としてトランジスタによる定電流源を挿入し，ＣＭＲＲ（Ｃｏｍｍｏｎ　Ｍ
-ｏｄｅ　Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ　Ｒａｔｉｏ＝同相分抑圧比）を大きく取ることで，同相成分のハム，雑音電源
変動による不要成分を打ち消し，ＤＣドリフトも抑えていました。さらに，デュアルＦＥＴのソース
－ソース間に半固定抵抗器を挿入して，デュアルＦＥＴの僅かな特性差も補償していました。
２段目も，定電流負荷を持ったカスコード接続という構成となっていました。エミッター接地とベ
ース接地の複合回路であるカスコード接続は，出力側コレクターの帰還容量によって生じるミ
ラー効果を抑え，高域周波数での伝送能力を高め，リニアリティを大幅に改善し，ひずみを約
１／７以下にまで低減していました。

ＴＡ-Ｎ７Ｂの内部

電力増幅段は，終段に優れたパルス応答特性をもつＶ-ＦＥＴと高周波用バイポーラトランジス
タによるカスコード接続トリプルプッシュプル構成のピュアコンプリメンタリーＳＥＰＰ-ＯＣＬ回路
を採用していました。
ＴＡ-Ｎ７Ｂでは，Ｖ-ＦＥＴ単独使用ではなく，高周波用（ｆＴ＝１５０ＭＨｚ）バイポーラトランジスタ
と組み合わせることで，持ち味をより生かす設計となっていました。Ｖ-ＦＥＴは接合形ＦＥＴであ
るため，Ｂ級動作で使用した場合，ゲートバイアスが０Ｖのときもオフ状態にならず，逆バイアス
をかけてオフ状態にする必要があること，非飽和形の静特性であるため，Ｂ級動作では，電源
電圧が変動したとき，動作点が移動しアイドリング電流がずれること，などがあるため，バイア
ス安定化回路が必要となります。しかし，カスコード接続を用いることで，Ｖ-ＦＥＴにバイポーラ
トランジスタのＶｃｅがバイアス電圧としてかかり，逆バイアスをかけるための積み上げ電圧が不
要になるとともに，静特性も飽和型になり，バイアス安定化回路も不要となっていました。

ＴＡ-Ｎ７Ｂの透視図

電源部は，左右チャンネルを完全独立化するとともに，同一チャンネル内でもＡクラス段とＢク
ラス段用電源も各々専用の電源トランスを搭載した４トランス構成の強力なものでした。
電力増幅段（Ｂクラス段）用の電源トランスは，オリエントコア・ハイビーＺ６Ｈを用いた新開発の
トロイダルトランスをＬ・Ｒ独立で搭載していました。Ｚ６Ｈは，厚さ０．３mmの方向性電磁鋼板で
励磁電力や磁気歪みが少なく，鉄損も大きく減少させた新しい素材でした。これを円形トロイダ
ルコアとしたトロイダル構造とすることで，効率が良く，漏洩フラックスも少なく，ハム雑音も少な
い電源トランスとしていました。これを絶縁性が高く熱伝導率の高いコンパウンドで充填して角
形ケースに封入して搭載していました。
平滑用コンデンサーは，２２，０００μＦのものを両チャンネル合わせて４本，計８８，０００μＦと
いう容量で搭載していました。この電解コンデンサーは，アルミ電解箔の巻込みによるインダク
タンスを小さく抑え，誘電正接の減少を図るため，電極の引き出しリードを複数本にしたマルチ
タブ方式を採用し，高域周波数でのインピーダンス上昇を抑え，高域周波数での特性や安定
度が高められていました。

電圧増幅段（Ａクラス段）用電源も，角形ケースに封入された電源トランスをＬ・Ｒ独立で搭載し
さらに，ＦＥＴバッファ電源を加えてチャンネル間，及びＢクラス段との干渉を抑えていました。
ＦＥＴバッファ電源は，制御用トランジスタのベースバイアス回路の定電流源にＦＥＴを用いたも
ので，入力側電圧の変動（リップル）に対するリジェクション能力がすぐれ，広い周波数範囲に
わたって低出力インピーダンスを示す，応答特性のすぐれた定電圧電源として採用されていま
した。

電源部のみでなく，コンストラクションの上でも，徹底してクロストークを防ぐ設計がなされてい
ました。ＡＣ１次側のみ共通とした左右独立，対称配置の２モノアンプ構成セパレーションを徹
底し，左右スピーカー端子までの出力線路を最も遠くに配置して，出力線材での相互干渉を抑
えていました。さらに，シールドしたスピーカー端子部やスピーカー端子への出力線路をシャー
シとサイドフレームの空隙に通すというシールド方法がとられ，電源部とアンプ部の間にもシー
ルドが行われ，出力信号と入力信号間，電源部とアンプ部間の相互干渉が徹底的に抑えられ
ていました。また，入力切替スイッチ，レベルコントロール，スピーカー切替スイッチなどがすべ
て排除され，電源スイッチのみという，シンプルでダイレクトな構成で音質が追求されていました。

以上のように，ＴＡ-Ｎ７Ｂは，ソニーらしい理詰めの設計で音質が追求されたパワーアンプでし
た。ヒートシンクを前方に配置し前面パネルに放熱用スリットを設け，４個の電源トランスと電解
コンデンサーをシャーシ上部にマウントし，アルミダイキャストの堅牢なサイドフレームでガードし
た力感のある精悍なデザインは印象的で，Ｖ-ＦＥＴならではの，クリアで温かみのある音が使い
やすい１台でした。

●ＴＡ-Ｎ７Ｂの規格●

実効出力	１００Ｗ＋１００Ｗ（８Ω負荷，両チャンネル駆動時に高調波ひずみ率０．０１％で　　　　　　　　　２０Ｈｚ～２０ｋＨｚの帯域内で得られるＲＭＳ出力）
高調波ひずみ率	実効出力時：０．０１％（２０Ｈｚ～２０ｋＨｚ），０．０５％（５Ｈｚ～５０ｋＨｚ）１０Ｗ出力時：０．００８％（２０Ｈｚ～２０ｋＨｚ），０．０２％（５Ｈｚ～５０ｋＨｚ）１Ｗ出力時　：０．００８％（２０Ｈｚ～２０ｋＨｚ），０．０２％（５Ｈｚ～５０ｋＨｚ）
混変調ひずみ率（ＳＭＰＴＥ　６０Ｈｚ：７ｋＨｚ＝４：１）	実効出力（等価正弦波出力）時：０．０１％１０Ｗ出力（等価正弦波出力）時：０．００８％１Ｗ出力（等価正弦波出力）時　：０．００８％
出力帯域幅	５Ｈｚ～３５ｋＨｚ（実効出力－３dB高調波ひずみ率０．０１％　ＩＨＦ）
ダンピングファクター	１００（１ｋＨｚ８Ω）
残留雑音	０．０２４ｍＶ（８Ω　Ａネットワーク）
ＳＮ比	１２０dB（入力ショート　Ａネットワーク）
周波数特性	ＤＣ～１００ｋＨｚ＋０－１dB（ＤＩＲＥＣＴ端子使用時）６Ｈｚ～１００ｋＨｚ＋０－１dB（Ｃ．ＣＯＵＰＬＥ端子使用時）
入力端子	ＤＩＲＥＣＴＣ．ＣＯＵＰＬＥ（カットオフ周波数３Ｈｚ，遮断特性６dB/ｏｃｔ）
入力感度/入力インピーダンス	０．３Ｖ（実効出力１００Ｗを得るに要する入力電圧）/５０ｋΩ
出力端子	ＳＰＥＡＫＥＲ（ワンタッチ方式）
適合スピーカーインピーダンス	４～１６Ω
電源	１００Ｖ　５０/６０Ｈｚ
消費電力	２１５Ｗ
大きさ	４３０Ｗ×１７０Ｈ×３３５Ｄmm（最大突出部寸法，端数切上げ）
重さ	２１kg（本体のみ）
回路形式	ピュアコンプリメンタリーＳＥＰＰ　ＯＣＬ方式　ＤＣパワーアンプ　初段：デュアルＦＥＴカスコード接続カレントミラー差動アンプ　次段：定電流源負荷カスコード接続　終段：Ｖ-ＦＥＴカスコード接続
使用半導体	ＦＥＴ２２石（Ｖ-ＦＥＴ１２石を含む）トランジスタ６２石ダイオード３４個

※本ページに掲載したＴＡ-Ｎ７Ｂの写真，仕様表等は１９７７年４月の
　ＳＯＮＹのカタログより抜粋したもので，ソニー株式会社に著作権が
　あります。したがってこれらの写真等を無断で転載，引用等をする
　ことは法律で禁じられていますのでご注意ください。

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